一、品名‌

高纯铟锭‌：纯度≥99.999%，执行标准YS/T264-1994，用于半导体化合物及靶材制造；

ITO靶材‌：氧化铟锡复合镀膜材料，适配液晶显示器及光伏面板溅射工艺；

铟基合金焊料‌：含Ag/Cu/Sn元素，熔点范围50-200℃，用于微电子封装及低温焊接；

铟功能镀膜‌：蒸镀级铟箔，表面光洁度Ra≤0.4μm，用于光学器件镀层。

二、牌号‌

‌牌号‌：In99.99、In99.995、In98.0。

三、执行标准‌

国内标准‌：YS/T264-1994，YS/T257-1998；

国际标准‌：ГОСТ 10297，ASTM B774。

四、规格‌

重量‌：铟锭：2000g±100g、200g±10g半导体靶材原料；

尺寸‌：靶材直径，Φ50-500mm，厚度3-10mm，显示器溅射镀膜；

密度‌：7.31-7.36g/cm³，高精度合金配比、质量检测；

表面精度‌：靶材表面粗糙度Ra≤0.8μm。

五、工艺‌

提纯工艺‌：真空蒸馏法，杂质元素含量≤1ppm；

熔炼铸造‌：惰性气体保护熔炼→水冷铸锭，晶粒度≥5级；

轧制成型‌：冷轧箔材，延伸率≥30%；

镀膜加工‌：磁控溅射（ITO靶材）或真空蒸镀；

检测工艺‌：ICP-MS（杂质分析）、四探针法。

六、用途‌

半导体制造‌：磷化铟（InP）、砷化铟（InAs）晶圆；

显示器制造‌：ITO导电薄膜、触摸屏电极；

电子封装‌：低温焊料 ；

核工业‌：中子吸收棒、辐射屏蔽层；

航空航天‌：高精度轴承涂层、热控镀膜。

七、分类‌

1. 按纯度分类‌

原生铟‌：纯度≥99.995%，直接来自锌/铅矿冶炼；

再生铟‌：回收率≥95%，纯度98%-99.99%；

2. 按形态分类‌

铟锭‌：2000g标准锭，适配规模化生产；

铟粉‌：粒度200-800目，用于3D打印及粉末冶金；

铟箔‌：厚度0.02-1.0mm，柔性电路基材；

3. 按功能分类‌

半导体材料‌：InP、ITO靶材等，适配光电器件；

焊料合金‌：In-Sn、In-Ag系，低温封装首选；

镀膜材料‌：真空蒸镀铟层，提升光学反射率。